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Si7135DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
1.2
8 0
V GS = 10 thru 4 V
1.0
T C = - 55 °C
0. 8
60
0.6
40
0.4
T C = 25 °C
20
0
V GS = 3 V
0.2
0.0
T C = 125 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0060
0.0055
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
12 000
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.0050
8 000
0.0045
0.0040
0.0035
V GS = 10 V
4000
0.0030
C oss
0.0025
C rss
0.0020
0
0
20
40
60
8 0
100
0
6
12
1 8
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 2 8 A
8
V DS = 7.5 V
V DS = 15 V
6
V DS = 22.5 V
4
1. 8
1.5
1.2
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 20 A
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
0.9
2
0
0.6
0
50
100
150
200
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 68807
S-81588-Rev. A, 07-Jul-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
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